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GermanyIRLMS1902TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLMS1902TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6
基本产品编号
IRLMS1902
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRLMS1902TRPBF
2156-IRLMS1902TRPBF
IRLMS1902PBFTR
IRLMS1902PBFDKR
SP001558856
IRLMS1902PBFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLMS1902TRPBF
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PCN 封装
()
PCN 其他
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HTML 规格书
1(IRLMS1902)
EDA 模型
1(IRLMS1902TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRLMS1902TR Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : ZXMN2A01E6TA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 4,633
单价. : ¥4.53000
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