English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFR3708TR
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR3708TR
摘要
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2417 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
87W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFR3708TR
相关文档
规格书
1(IRFR3708, IRFU3708)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
设计资源
1(IRFR3708 Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(EOL122B 02/Oct/2007)
HTML 规格书
1(IRFR3708, IRFU3708)
价格
-
替代型号
型号 : IPD30N03S2L20ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,200
单价. : ¥11.26000
替代类型. : 类似
库存 : 2,200
单价. : ¥11.26000
替代类型. : 类似
型号 : BUK9214-30A,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 36,177
单价. : ¥11.66000
替代类型. : 类似
库存 : 36,177
单价. : ¥11.66000
替代类型. : 类似
型号 : FDD6690A
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥9.07000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥9.07000
替代类型. : 类似
型号 : DMN3016LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 6,723
单价. : ¥4.45000
替代类型. : 类似
库存 : 6,723
单价. : ¥4.45000
替代类型. : 类似