元器件型号详细信息

原厂型号
SSM6L39TU,LF
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
详情
MOSFET - 阵列 20V 800mA 500mW 表面贴装型 UF6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
143毫欧 @ 600MA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
268pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
供应商器件封装
UF6
基本产品编号
SSM6L39

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SSM6L39TU,LF(T
SSM6L13TU(T5LFT)DKR-ND
SSM6L39TULFCT-ND
264-SSM6L39TU,LFCT
SSM6L39TULFCT
SSM6L13TU(T5LFT)DKR
SSM6L13TU(T5LFT)CT-ND
SSM6L39TULFDKR
264-SSM6L39TU,LFDKR
SSM6L39TULFTR
SSM6L39TULFDKR-ND
SSM6L13TU(T5LFT)CT
SSM6L39TULFTR-ND
264-SSM6L39TU,LFTR
SSM6L39TU,LF(B

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU,LF

相关文档

规格书
1(SSM6L39TU)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(Marking Chg 08/Feb/2016)
EDA 模型
1(SSM6L39TU by Ultra Librarian)

价格

数量: 3000
单价: $1.10186
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1
单价: $3.66
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $1.20203
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.6027
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $2.1369
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $3.14
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.9
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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