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GermanyHN1C03F-B(TE85L,F)
元器件型号详细信息
原厂型号
HN1C03F-B(TE85L,F)
摘要
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 20V 300mA 30MHz 300mW 表面贴装型 SM6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
300mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
100mV @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
350 @ 4mA，2V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 跃迁
30MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74，SOT-457
供应商器件封装
SM6
基本产品编号
HN1C03
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
HN1C03F-B(TE85LF)TR
HN1C03F-B(TE85LF)CT
HN1C03F-B(TE85LF)DKR
HN1C03F-B (TE85L,F)
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B(TE85L,F)
相关文档
规格书
1(HN1C03F)
PCN 设计/规格
1(HN1C03F Marking Chgs 28/Oct/2022)
EDA 模型
1(HN1C03F-B(TE85L,F) by Ultra Librarian)
价格
数量: 30000
单价: $0.98332
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.02805
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : IMX25T110
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 782
单价. : ¥3.82000
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