元器件型号详细信息

原厂型号
IXFC22N60P
摘要
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
详情
通孔 N 通道 600 V 12A(Tc) 130W(Tc) ISOPLUS220™
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, PolarHT™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
360 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
58 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
130W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
ISOPLUS220™
封装/外壳
ISOPLUS220™
基本产品编号
IXFC22N60

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXFC22N60P

相关文档

规格书
1(IXFC22N60P)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 13/Dec/2013)
HTML 规格书
1(IXFC22N60P)

价格

-

替代型号

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