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GermanyIRFR120NTRLPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR120NTRLPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 9.4A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
210 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IRFR120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFR120NTRLPBFDKR
SP001566916
IRFR120NTRLPBFTR
IRFR120NTRLPBF-ND
IRFR120NTRLPBFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFR120NTRLPBF
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PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IRFR/U120NPbF)
仿真模型
1(IRFR120NTRPBF Spice Model)
价格
数量: 30000
单价: $2.62643
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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制造商 : Vishay Siliconix
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