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GermanyRQ3E100BNTB
元器件型号详细信息
原厂型号
RQ3E100BNTB
摘要
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
RQ3E100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
RQ3E100BNTBDKR
RQ3E100BNTBCT
RQ3E100BNTBTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB
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价格
数量: 3000
单价: $1.19034
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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数量: 1000
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最小包装数量: 1
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