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GermanyIRF5801TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF5801TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 欧姆 @ 360mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
88 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
IRF5801
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF5801TRPBFTR
IRF5801TRPBFDKR
IRF5801TRPBFCT
IRF5801TRPBF-ND
SP001570104
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF5801TRPBF
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()
PCN 其他
1(MSL Update 18/Feb/2015)
HTML 规格书
1(IRF5801PBF)
仿真模型
1(IRF5801TRPBF Saber Model)
价格
数量: 30000
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