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元器件型号详细信息
原厂型号
ISL6612BCBZ
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
详情
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
98
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
驱动配置
半桥
通道类型
同步
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
7V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL，VIH
-
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1.25A，2A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
36 V
上升/下降时间（典型值）
26ns，18ns
工作温度
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
ISL6612
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/Renesas Electronics America Inc ISL6612BCBZ
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规格书
1(ISL6612B, ISL6613B)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 6/Jul/2018)
PCN 设计/规格
1(New T-type End Plug 08/Jun/2016)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(ISL6612BCBZ by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-