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GermanyIRGP30B60KD-EP
元器件型号详细信息
原厂型号
IRGP30B60KD-EP
摘要
IGBT 600V 60A 304W TO247AD
详情
IGBT NPT 600 V 60 A 304 W 通孔 TO-247AD
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.35V @ 15V，30A
功率 - 最大值
304 W
开关能量
350µJ（开），825µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
102 nC
25°C 时 Td（开/关）值
46ns/185ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
125 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRGP30B60KDEP
-IRGP30B60KD
*IRGP30B60KD-EP
SP001549784
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IRGP30B60KD-EP
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规格书
1(IRGP30B60KD-EP)
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产品培训模块
()
设计资源
1(IRGP30B60KD-EP Saber Model)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 4/Nov/2019)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Alternate Diode Supplier Retraction 04/Apr/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRGP30B60KD-EP)
仿真模型
1(IRGP30B60KD-EP Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IKW30N60H3FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥30.92000
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型号 : IKW30N60DTPXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥24.25000
替代类型. : 类似
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型号 : IGW30N60TFKSA1
制造商 : Infineon Technologies
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型号 : IKW30N60TFKSA1
制造商 : Infineon Technologies
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型号 : STGW30H60DFB
制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥29.17000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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制造商 : STMicroelectronics
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库存 : 0
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型号 : STGW20NC60V
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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型号 : STGW30NC60WD
制造商 : STMicroelectronics
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型号 : APT30GT60BRG
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
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