元器件型号详细信息

原厂型号
DTC114EBT2L
摘要
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VMN3
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
30 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
250 MHz
功率 - 最大值
150 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-923F
供应商器件封装
VMN3
基本产品编号
DTC114

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单,预偏置双极晶体管/Rohm Semiconductor DTC114EBT2L

相关文档

-

价格

-

替代型号

-