元器件型号详细信息

原厂型号
BFP182WH6327XTSA1
摘要
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
详情
RF 晶体管 NPN 12V 35mA 8GHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT343-3D
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率 - 跃迁
8GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益
22dB
功率 - 最大值
250mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
70 @ 10mA,8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
35mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-82A,SOT-343
供应商器件封装
PG-SOT343-3D
基本产品编号
BFP182

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

448-BFP182WH6327XTSA1TR
2156-BFP182WH6327XTSA1
INFINFBFP182WH6327XTSA1
BFP 182W H6327-ND
BFP182WH6327XTSA1-ND
448-BFP182WH6327XTSA1DKR
SP000745176
BFP 182W H6327
448-BFP182WH6327XTSA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极射频晶体管/Infineon Technologies BFP182WH6327XTSA1

相关文档

规格书
1(BFP182W)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chgs 2/Feb/2023)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BFP182W)
仿真模型
1(Infineon-RFTransistor-AWR_MWO_Design_Kit-SM-v02_10-EN Spice Model)

价格

-

替代型号

-