元器件型号详细信息

原厂型号
CDBGBSC20650-G
摘要
DIODE DUAL SIC 20A 650V TO-247
详情
二极管阵列 1 对共阴极 650 V 33A(DC) 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
Comchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Comchip Technology
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
二极管配置
1 对共阴极
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
33A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 10 A
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 µA @ 650 V
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
基本产品编号
CDBGBSC20650

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/二极管阵列/Comchip Technology CDBGBSC20650-G

相关文档

规格书
1(CDBGBSC20650-G)
环保信息
1(Comchip Technology RoHS Cert)
特色产品
1(SiC Schottky Barrier Diodes)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 21/Oct/2022)
PCN 设计/规格
1(CDBx 23-May-2022)
HTML 规格书
1(CDBGBSC20650-G)

价格

-

替代型号

型号 : GC2X10MPS12-247
制造商 : GeneSiC Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥68.73211
替代类型. : 直接