STW50N65DM2AG

元器件型号详细信息

原厂型号

STW50N65DM2AG

摘要

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

详情

通孔 N 通道 650 V 28A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

30

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

87 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

70 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3200 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

STW50

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STW50N65DM2AG

价格

数量: 2000

单价: $36.02196
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $37.40739
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $42.94918
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $49.322
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $59.577
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $65.98
包装: 管件
最小包装数量: 1

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型号 : TK39N60W5,S1VF

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库存 : 888
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库存 : 326
单价. : ¥142.70000
替代类型. : 类似

型号 : IXFX64N60P

制造商 : IXYS
库存 : 770
单价. : ¥177.52000
替代类型. : 类似

型号 : IXFH50N60X

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥81.85500
替代类型. : 类似

型号 : R6046FNZ1C9

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 282
单价. : ¥90.07000
替代类型. : 类似

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制造商 : onsemi
库存 : 72
单价. : ¥75.68000
替代类型. : 类似

型号 : IXFX80N60P3

制造商 : IXYS
库存 : 55
单价. : ¥146.68000
替代类型. : 类似

型号 : IXKH47N60C

制造商 : IXYS
库存 : 280
单价. : ¥202.40000
替代类型. : 类似

IQS211A-00000000-TSR HDWM-10-54-G-S-355-SM C2VEDMK07B1 "PDV10-3,50-V-P"10-02567

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