IPB65R190C7ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB65R190C7ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ C7

包装

卷带（TR）

Product Status

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

13A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

190 毫欧 @ 5.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 290µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

23 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1150 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

72W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB65R

其它名称

IPB65R190C7ATMA1-ND

SP000929424

IPB65R190C7ATMA1DKR

IPB65R190C7ATMA1TR

IPB65R190C7ATMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB65R190C7ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPB60R120P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥33.07000
替代类型. : 直接

型号 : IPB65R190C7ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥27.74000
替代类型. : 直接

型号 : R6020ENJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 13,809
单价. : ¥22.18000
替代类型. : 类似

型号 : SIHB22N60ET5-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥20.50705
替代类型. : 类似

型号 : TK20G60W,RVQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥19.87000
替代类型. : 类似

型号 : STB28N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥30.13000
替代类型. : 类似

型号 : STB26N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥25.84000
替代类型. : 类似

型号 : FCB199N65S3

制造商 : onsemi
库存 : 117
单价. : ¥31.16000
替代类型. : 类似

192080001 ADA4304-4ACPZ-R2 16YXH220MEFCT78X11.5 333-022-541-212 LSH-030-01-H-D-A-K

IPB65R190C7ATMA1

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