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GermanyTPS1120D
元器件型号详细信息
原厂型号
TPS1120D
摘要
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 15V 1.17A 840mW 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.17A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.45nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
840mW
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
TPS1120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
TEXTISTPS1120D
296-1352-5
-296-1352-5
-TPS1120DG4-NDR
TPS1120DG4-ND
2156-TPS1120D
-TPS1120D-NDR
-296-1352-5-ND
-TPS1120DG4
TPS1120DG4
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments TPS1120D
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规格书
1(TPS1120, TPS1120Y)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(TPS1120D Specifications)
HTML 规格书
1(TPS1120, TPS1120Y)
EDA 模型
()
价格
数量: 375
单价: $13.45536
包装: 管件
最小包装数量: 375
包装: 管件
最小包装数量: 375
替代型号
-