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GermanyPH1955L,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PH1955L,115
摘要
MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK56
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 40A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1992 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
SC-100，SOT-669
基本产品编号
PH19
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
PH1955L T/R
954-PH1955L115
568-2174-6
PH1955L115
568-2174-1
568-2174-2
934058854115
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PH1955L,115
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价格
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