元器件型号详细信息

原厂型号
IRF7456TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.5 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
62 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3640 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
IRF7456

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

*IRF7456TRPBF
IRF7456PBFTR
IRF7456TRPBF-ND
2156-IRF7456TRPBF
INFIRFIRF7456TRPBF
SP001566262
IRF7456TRPBFTR-ND
IRF7456PBFDKR
IRF7456PBFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRF7456TRPBF

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产品培训模块
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特色产品
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1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IRF7456PbF)
仿真模型
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价格

-

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