IPB260N06N3GATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB260N06N3GATMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

27A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

25.7 毫欧 @ 27A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 11µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1200 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

36W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB260N

其它名称

IPB260N06N3GATMA1TR

IPB260N06N3G

IPB260N06N3 GDKR

SP000453630

IPB260N06N3GATMA1CT

IPB260N06N3GATMA1DKR

IPB260N06N3 GDKR-ND

IPB260N06N3 GCT

IPB260N06N3 GCT-ND

IPB260N06N3 G-ND

IPB260N06N3 G

IPB260N06N3 GTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB260N06N3GATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IRFZ44ESTRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 654
单价. : ¥13.36000
替代类型. : 类似

型号 : IRLZ44SPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 945
单价. : ¥24.33000
替代类型. : 类似

型号 : IRFZ44STRLPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 754
单价. : ¥22.10000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN015-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似

型号 : IRLZ44STRRPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥15.22854
替代类型. : 类似

型号 : NTBV45N06LT4G

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : STB45NF06T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似

型号 : IRFZ44SPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,955
单价. : ¥22.10000
替代类型. : 类似

026TB32R251B1A1 SXT21418EA07-26.000M 833-83-018-10-457101 SIHP5N50D-E3 CX10S-BADH0G-P-A-DK00000

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