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GermanyIRFH5020TR2PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH5020TR2PBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 5.1A（Ta） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2290 pF @ 100 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF
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HTML 规格书
1(IRFH5020PBF)
价格
-
替代型号
型号 : TPH6400ENH,L1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 368
单价. : ¥13.75000
替代类型. : 类似
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