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GermanyTK60F10N1L,LXGQ
元器件型号详细信息
原厂型号
TK60F10N1L,LXGQ
摘要
MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 60A（Ta） 205W（Tc） TO-220SM（W）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.11 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4320 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
205W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-220SM（W）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
TK60F10
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
264-TK60F10N1LLXGQDKR
264-TK60F10N1LLXGQCT
264-TK60F10N1LLXGQTR
TK60F10N1L,LXGQ(O
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ
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