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GermanyIRF6628TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6628TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 27A（Ta），160A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） DIRECTFET™ MX
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Ta），160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
47 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3770 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），96W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MX
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MX
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6628TRPBFCT
IRF6628TRPBFTR
IRF6628TRPBFDKR
SP001526838
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6628TRPBF
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规格书
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产品培训模块
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1(Mult Device EOL 06/Sep/2016)
PCN 组装/来源
1(DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 其他
1(MSL Update 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(IRF6628(TR)PbF)
价格
-
替代型号
-