English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTFI24N60M2
元器件型号详细信息
原厂型号
STFI24N60M2
摘要
MOSFET N CH 600V 18A TO281
详情
通孔 N 通道 600 V 18A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II Plus
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1060 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAKFP（TO-281）
封装/外壳
TO-262-3 整包，I²Pak
基本产品编号
STFI24N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-13598-5
-497-13598-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STFI24N60M2
相关文档
规格书
1(STF(I, W)24N60M2)
其他相关文档
1(STFI24N60M2 View All Specifications)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
特色产品
1(MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(STFIYYY 15/Dec/2017)
PCN 组装/来源
1(IPD/15/9156 20/Mar/2015)
HTML 规格书
1(STF(I, W)24N60M2)
EDA 模型
1(STFI24N60M2 by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $41.7449
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $50.418
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $55.81
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STF24N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 187
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似
库存 : 187
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似
型号 : IPI60R190C6XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似