元器件型号详细信息

原厂型号
TK30E06N1,S1X
摘要
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
详情
通孔 N 通道 60 V 43A(Ta) 53W(Tc) TO-220
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1050 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
53W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
TK30E06

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1,S1X

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规格书
1(TK30E06N1)
特色产品
()
EDA 模型
1(TK30E06N1 by Ultra Librarian)

价格

数量: 10000
单价: $2.90623
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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