IPB054N08N3GATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB054N08N3GATMA1

摘要

MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

40 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5.4 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

69 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4750 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

150W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB054

其它名称

IPB054N08N3 GCT-ND

IPB054N08N3GATMA1CT

SP000395166

IPB054N08N3 GDKR

IPB054N08N3GATMA1TR

IPB054N08N3GATMA1DKR

IPB054N08N3 GTR-ND

IPB054N08N3 G

IPB054N08N3 GDKR-ND

IPB054N08N3 G-ND

IPB054N08N3 GCT

IPB054N08N3G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB054N08N3GATMA1

价格

数量: 10000

单价: $7.13474
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 5000

单价: $7.42012
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $7.70552
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $8.27633
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $9.98858
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $12.1578
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $15.129
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $16.85
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $9.98858
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $12.1578
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $15.129
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $16.85
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

MKJ1A6F6-7SC CRCW06033R57FNTA SWM12-18-EH-P6R 18608A32 RT1210CRE0725R5L

IPB054N08N3GATMA1

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