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GermanyMT41K512M8V00HWC1
元器件型号详细信息
原厂型号
MT41K512M8V00HWC1
摘要
IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
详情
SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb 并联
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
2 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR3L
存储容量
4Gb
存储器组织
512M x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V
工作温度
0°C ~ 95°C（TC）
安装类型
-
封装/外壳
-
供应商器件封装
-
基本产品编号
MT41K512M8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1
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PCN 设计/规格
1(Memory 24-May-2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chgs 1/May/2020)
PCN 封装
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
价格
数量: 1
单价: $54.77
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
替代型号
-