English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQPF13N10L
元器件型号详细信息
原厂型号
FQPF13N10L
摘要
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
详情
通孔 N 通道 100 V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 4.35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
520 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF1
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQPF13N10L
相关文档
规格书
1(FQPF13N10L)
环保信息
()
HTML 规格书
1(FQPF13N10L)
EDA 模型
1(FQPF13N10L by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-