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20250411
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元器件资讯
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STB22N60DM6
元器件型号详细信息
原厂型号
STB22N60DM6
摘要
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 15A(Tc) 130W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M6
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
240 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
800 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
130W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
STB22
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STB22N60DM6
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规格书
1(STB22N60DM6)
HTML 规格书
1(STB22N60DM6)
EDA 模型
1(STB22N60DM6 by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $13.2132
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $13.72933
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
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包装: 卷带(TR)
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