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GermanySPP02N60C3XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPP02N60C3XKSA1
摘要
LOW POWER_LEGACY
详情
通孔 N 通道 600 V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP02N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFSPP02N60C3XKSA1
SP000681014
2156-SPP02N60C3XKSA1-IT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP02N60C3XKSA1
相关文档
规格书
1(SPP02N60C3)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 31/Aug/2017)
HTML 规格书
1(SPP02N60C3)
仿真模型
1(CoolMOS™ PowerMOSFET 600V C3 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPP60R600P7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.63000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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替代类型. : 直接
型号 : IXTP4N80P
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥22.74000
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型号 : IXFP3N80
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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