IPB80N06S209ATMA2

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB80N06S209ATMA2

摘要

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

8.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 125µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

80 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2360 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

190W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB80N

其它名称

IPB80N06S209ATMA2-ND

SP001061716

2156-IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2CT

IFEINFIPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2DKR

IPB80N06S209ATMA2TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA2

价格

数量: 5000

单价: $10.05294
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $10.43958
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $11.21286
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $13.5328
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $16.4714
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $20.495
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $22.82
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $13.5328
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $16.4714
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $20.495
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $22.82
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : BUK9612-55B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 14,669
单价. : ¥14.87000
替代类型. : 类似

345-076-523-258 857-006-554-108 305-032-521-204 142680-1 RN73R1ETTP2320F10

IPB80N06S209ATMA2

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