STB34NM60N

元器件型号详细信息

原厂型号

STB34NM60N

摘要

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 29A（Tc） 250W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ II

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

105 毫欧 @ 14.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

84 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2722 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

250W（Tc）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

STB34

其它名称

497-12236-6

497-12236-2

497-12236-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB34NM60N

价格

数量: 1000

单价: $47.49311
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $54.52918
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $62.6206
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $75.635
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $83.71
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $54.52918
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $62.6206
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $75.635
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $83.71
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPB60R099CPATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,421
单价. : ¥74.73000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R125C6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥50.72000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R099C6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 810
单价. : ¥56.60000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R099CPAATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 783
单价. : ¥73.46000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R125CPATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,986
单价. : ¥55.65000
替代类型. : 类似

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