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GermanyTP5335K1-G-VAO
元器件型号详细信息
原厂型号
TP5335K1-G-VAO
摘要
MOSFET P-CH 350V 85MA SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 350 V 85mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
110 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
TP5335
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microchip Technology TP5335K1-G-VAO
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环保信息
()
PCN 设计/规格
()
EDA 模型
1(TP5335K1-G-VAO by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-