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GermanyIXFN50N120SIC
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFN50N120SIC
摘要
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
详情
底座安装 N 通道 1200 V 47A（Tc） SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
87 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
IXFN50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFN50N120SIC
相关文档
规格书
1(IXFN50N120SIC)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
特色产品
1(SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit)
HTML 规格书
1(IXFN50N120SIC)
价格
数量: 100
单价: $563.9133
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $625.656
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $658.62
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-