English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBSO110N03MSGXUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO110N03MSGXUMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 12.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-DSO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
BSO110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSO110N03MS GINCT-ND
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MSGXUMA1TR
SP000446062
BSO110N03MS GINTR-ND
BSO110N03MS GINDKR-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINDKR
BSO110N03MSG
BSO110N03MS G
BSO110N03MSGXUMA1DKR
BSO110N03MSGXUMA1CT
BSO110N03MS GINCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSO110N03MSGXUMA1
相关文档
规格书
1(BSO110N03MS G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 1/Apr/2021)
HTML 规格书
1(BSO110N03MS G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 25000
单价: $2.88336
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $2.91371
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.02753
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $3.18686
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
-