NVB110N65S3F

元器件型号详细信息

原厂型号

NVB110N65S3F

摘要

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 30A（Tc） 240W（Tc） D²PAK-3（TO-263-3）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

75 周

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

110 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

58 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2560 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

240W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

NVB110

其它名称

488-NVB110N65S3FCT

NVB110N65S3F-ND

488-NVB110N65S3FDKR

488-NVB110N65S3FTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVB110N65S3F

价格

数量: 2400

单价: $26.24532
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 1600

单价: $27.62664
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 800

单价: $32.75736
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 100

单价: $38.48
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $46.966
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $52.31
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $38.48
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $46.966
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $52.31
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STB30N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 935
单价. : ¥54.85000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R125C6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥50.72000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R099C6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 795
单价. : ¥56.60000
替代类型. : 类似

型号 : STB33N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 95
单价. : ¥33.87000
替代类型. : 类似

SXT32411CC38-22.1184M VI-261-IX-F3 R5F5630DDDLK#U0 AD7845JPZ-REEL NTCLE203E3202FB0

NVB110N65S3F

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号