English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNTLJD2104PTBG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTLJD2104PTBG
摘要
MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
详情
MOSFET - 阵列 12V 2.4A 700mW 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
467pF @ 6V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
基本产品编号
NTLJD21
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-NTLJD2104PTBG-ONTR-ND
ONSONSNTLJD2104PTBG
2156-NTLJD2104PTBG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTLJD2104PTBG
相关文档
规格书
1(NTLJD2104P)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Jul/2009)
HTML 规格书
1(NTLJD2104P)
价格
-
替代型号
-