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Germany1N4750A-TAP
元器件型号详细信息
原厂型号
1N4750A-TAP
摘要
DIODE ZENER 27V 1.3W DO41
详情
二极管 - 齐纳 27 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
15 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
剪切带（CT）
Product Status
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
27 V
容差
±5%
功率 - 最大值
1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt)
35 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 20.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装
DO-204AL（DO-41）
基本产品编号
1N4750
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
1N4750A-TAPGITB
1N4750A-TAP-ND
1N4750A-TAPGICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4750A-TAP
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规格书
1(1N4728A thru 1N4764A)
PCN 组装/来源
1(Wafer Source 12/Nov/2021)
HTML 规格书
1(1N4728A thru 1N4764A)
价格
数量: 25000
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包装: 带盒（TB）
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