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20250710
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元器件资讯
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SIS822DNT-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIS822DNT-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 12A(Tc) 15.6W(Tc) PowerPAK® 1212-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
435 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
15.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
基本产品编号
SIS822
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIS822DNT-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SIS822DNT)
HTML 规格书
1(SIS822DNT)
价格
数量: 6000
单价: $0.91992
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 6000
替代型号
型号 : RF4E080BNTR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,110
单价. : ¥5.88000
替代类型. : 类似
型号 : RF4E075ATTCR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,901
单价. : ¥5.17000
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