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GermanyIPD800N06NGBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD800N06NGBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 16µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
370 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
47W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD800N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPD800N06NGBTMA1-ITTR-ND
IPD800N06NGINCT-ND
IPD800N06NGINDKR-ND
IPD800N06NGXT
IPD800N06NGBTMA1CT
IPD800N06N G
IPD800N06NGINTR-ND
INFINFIPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGINTR
IPD800N06NGINDKR
SP000204179
IPD800N06NGINCT
IPD800N06N G-ND
SP000443764
IPD800N06NGBTMA1TR
IPD800N06NGBTMA1DKR
IPD800N06NG
2156-IPD800N06NGBTMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD800N06NGBTMA1
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1(Multiple Devices 30/Aug/2013)
HTML 规格书
1(IPD800N06N G)
价格
-
替代型号
型号 : IPD350N06LGBTMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,340
单价. : ¥7.31000
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型号 : STD16NF06T4
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库存 : 46,048
单价. : ¥8.90000
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型号 : ZXMN6A08KTC
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型号 : DMN6068LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.61000
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型号 : RFD14N05LSM
制造商 : onsemi
库存 : 17,468
单价. : ¥8.11000
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型号 : RFD14N05SM9A
制造商 : onsemi
库存 : 22
单价. : ¥7.08000
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型号 : STD12NF06T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥9.78000
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单价. : ¥9.78000
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型号 : STD16NF06LT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥9.78000
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型号 : AOD444
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 153,012
单价. : ¥5.09000
替代类型. : 类似
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