English
Spain
Rusia
Italy
GermanyLSIC1MO120E0160
元器件型号详细信息
原厂型号
LSIC1MO120E0160
摘要
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
详情
通孔 N 通道 1200 V 22A（Tc） 125W（Tc） TO-247AD
原厂/品牌
Littelfuse Inc.
原厂到货时间
89 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Littelfuse Inc.
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
200 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
LSIC1MO120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
F11005
-LSIC1MO120E0160
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Littelfuse Inc. LSIC1MO120E0160
相关文档
规格书
1(LSIC1MO120E0160 Datasheet)
视频文件
1(1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET)
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(LSICMO120E0yy0 Manufacturing Facility/Minor Design 08/Jun/2020)
HTML 规格书
1(LSIC1MO120E0160 Datasheet)
价格
数量: 1000
单价: $60.25976
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $65.6968
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $73.8524
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $87.445
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $95.16
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-