English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRF6618
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6618
摘要
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MT
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta），170A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5640 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MT
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MT
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRF6618
SP001523888
IRF6618CT
IRF6618TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6618
相关文档
规格书
1(IRF6618/TR1)
其他相关文档
()
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1((EP) Parts 25/May/2012)
HTML 规格书
1(IRF6618/TR1)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN2R0-30YL,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 11,890
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似
库存 : 11,890
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似