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GermanyNTMTSC1D6N10MCTXG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMTSC1D6N10MCTXG
摘要
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
详情
表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 100 V 35A（Ta），267A（Tc） 5.1W（Ta），291W（Tc） 8-TDFNW（8.3x8.4）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Ta），267A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 650µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
106 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7630 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.1W（Ta），291W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装
8-TDFNW（8.3x8.4）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
NTMTSC1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMTSC1D6N10MCTXG
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规格书
1(NTMTSC1D6N10MC)
环保信息
()
EDA 模型
1(NTMTSC1D6N10MCTXG by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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