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GermanyNDP6030PL
元器件型号详细信息
原厂型号
NDP6030PL
摘要
MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
详情
通孔 P 通道 30 V 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1570 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
NDP603
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDP6030PL
相关文档
规格书
()
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
价格
-
替代型号
-