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GermanyIPD25CN10NGBUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD25CN10NGBUMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 39µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2070 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD25C
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD25CN10NG
IPD25CN10NGBUMA1CT
IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N G-ND
IPD25CN10N GCT-ND
IPD25CN10N GDKR-ND
IPD25CN10N G
IPD25CN10N GTR-ND
IPD25CN10NGBUMA1TR
SP000096456
IPD25CN10N GDKR
IPD25CN10NGBUMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD25CN10NGBUMA1
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价格
-
替代型号
型号 : IPD25CN10NGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥11.69000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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型号 : IRFR540ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 22,999
单价. : ¥9.38000
替代类型. : 类似
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型号 : IRFR540ZTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 32,797
单价. : ¥9.38000
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库存 : 1,714
单价. : ¥17.25000
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型号 : FDD86102LZ
制造商 : onsemi
库存 : 312
单价. : ¥12.88000
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型号 : SUD35N10-26P-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 145
单价. : ¥17.25000
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替代类型. : 类似
型号 : FDD86102
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥13.99000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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型号 : IXTY44N10T
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥20.51000
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型号 : FDD3672
制造商 : onsemi
库存 : 580
单价. : ¥13.59000
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型号 : FDD3670
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥21.70000
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型号 : BUK7227-100B,118
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库存 : 9,615
单价. : ¥13.67000
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型号 : STD40NF10
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库存 : 0
单价. : ¥13.75000
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制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 4,000
单价. : ¥50.64000
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单价. : ¥50.64000
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