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GermanyFDS6675
元器件型号详细信息
原厂型号
FDS6675
摘要
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
FDS66
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSFDS6675
FDS6675TR
FDS6675DKR
FDS6675CT
2156-FDS6675-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDS6675
相关文档
规格书
1(FDS6675)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Aug/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Korea Fab Site Add 3/Jan/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDS6675)
价格
-
替代型号
型号 : FDS6679AZ
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接
型号 : FDS6675BZ
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
型号 : IRF7416TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 29,598
单价. : ¥9.62000
替代类型. : 直接
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单价. : ¥9.62000
替代类型. : 直接
型号 : IRF7424TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 25,195
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 直接
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单价. : ¥11.61000
替代类型. : 直接
型号 : SI4425BDY-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 3,130
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似
型号 : RRH090P03GZETB
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,767
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
型号 : RSS090P03TB
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似