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GermanyIRFB59N10DPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFB59N10DPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
详情
通孔 N 通道 100 V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 35.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2450 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRFB59N10DPBF
SP001560232
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFB59N10DPBF
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()
PCN 组装/来源
1(Mosfet Assembly Site Add 28/Aug/2017)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
HTML 规格书
1(IRF(B,S.SL)59N10DPbF)
仿真模型
1(IRFB59N10DPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
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