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GermanyDMN2022UNS-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN2022UNS-7
摘要
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
详情
MOSFET - 阵列 20V 10.7A（Ta） 1.2W 表面贴装型 PowerDI3333-8（UXB 类）
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.7A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.8 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1870pF @ 10V
功率 - 最大值
1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerDI3333-8（UXB 类）
基本产品编号
DMN2022
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN2022UNS-7-ND
DMN2022UNS-7DITR
DMN2022UNS-7DICT
DMN2022UNS-7DIDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN2022UNS-7
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规格书
1(DMN2022UNS)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
数量: 50000
单价: $1.56507
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
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