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元器件型号详细信息
原厂型号
UPA2373T1P-E4-A
摘要
MOSFET 2N-CH 24V
详情
MOSFET - 阵列 1.3W 表面贴装型 4-EFLIP-LGA（1.62x1.62）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-XFBGA
供应商器件封装
4-EFLIP-LGA（1.62x1.62）
基本产品编号
UPA2373
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Renesas Electronics America Inc UPA2373T1P-E4-A
相关文档
规格书
1(UPA2373T1P)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 10/Jun/2019)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(UPA2373T1P-E4-A by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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