FDB86566-F085

元器件型号详细信息

原厂型号

FDB86566-F085

摘要

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 110A（Tc） 176W（Tj） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

37 周

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.7毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

110 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

6655 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

176W（Tj）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FDB86566

其它名称

FDB86566_F085DKR

FDB86566-F085CT

FDB86566_F085DKR-ND

FDB86566-F085TR

FDB86566_F085

FDB86566_F085CT

FDB86566-F085DKR

FDB86566_F085TR-ND

FDB86566_F085TR

FDB86566_F085CT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB86566-F085

价格

数量: 800

单价: $13.79586
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 100

单价: $16.7918
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $20.892
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $23.29
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $16.7918
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $20.892
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $23.29
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : NTBS2D7N06M7

制造商 : onsemi
库存 : 480
单价. : ¥57.40000
替代类型. : 参数等效

型号 : BUK763R1-60E,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,920
单价. : ¥24.64000
替代类型. : 直接

型号 : IRFS3206TRRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,800
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似

VJ1206A8R2BXCMC RN73H2ETTD4870B50 NMP1K2-EHCCCE-04 CMZ5928B TR13 PBFREE SANOXY-DSV-PPT-3

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