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GermanyIPW50R399CPFKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPW50R399CPFKSA1
摘要
MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
详情
通孔 N 通道 560 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
240
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
399 毫欧 @ 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 330µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
890 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW50R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIPW50R399CPFKSA1
IPW50R399CP
SP000259980
IPW50R399CP-ND
2156-IPW50R399CPFKSA1-IT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW50R399CPFKSA1
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仿真模型
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价格
-
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